STMicroelectronics Semiconductores discretos

Resultados: 4 073
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Hoja de datos
1 003En existencias
1 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Hoja de datos
1 043En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
540En existencias
600En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
766En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
Hoja de datos
496En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

MOSFETs
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
Hoja de datos
910En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
585En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics TN8050H-12PI
STMicroelectronics SCR 80 A 1200 V High Temperature SCR Thyristor
Hoja de datos
594En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos
Hoja de datos
870En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model
Hoja de datos
72En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Aerospace 40 V 3 A power Schottky rectifier - Engineering model
Hoja de datos
155En existencias
18En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Hoja de datos
144En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
Hoja de datos
21En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
Hoja de datos
27En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5


STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
Hoja de datos
557En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
109En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
169En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
527En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
448En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
533En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4

STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Hoja de datos
459En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
328En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Hoja de datos
589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Hoja de datos
587En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
537En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4