Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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SPA06N80C3
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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₡444
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
IPB65R660CFDAATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
918 En existencias
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₡882
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₡638
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
1 986 En existencias
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₡592
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₡394
500
₡310
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₡246
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₡282
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DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPP65R115CFD7AAKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
335 En existencias
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₡1 520
100
₡1 375
500
₡1 160
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
8 754 En existencias
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₡542
100
₡360
500
₡291
2 500
₡208
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₡265
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₡201
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726-IPL60R365P7AUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4 532 En existencias
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₡1 050
100
₡725
500
₡586
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₡452
6 000
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₡542
6 000
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Si
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VSON-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
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SPW47N65C3
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726-SPW47N65C3
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
274 En existencias
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₡7 830
100
₡4 141
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
SPP08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
853 En existencias
Embalaje alternativo
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₡1 624
10
₡812
100
₡731
500
₡526
1 000
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TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
700 En existencias
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₡5 754
10
₡4 182
100
₡3 486
500
₡3 103
1 000
₡2 900
1 800
₡2 900
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PG-HDSOP-16
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
IPLT60R037CM8XTMA1
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N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R037CM8XTM
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
700 En existencias
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₡3 271
100
₡2 645
500
₡2 349
1 000
₡2 076
1 800
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1 800
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PG-HDSOP-16