4406 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
10 860En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel 1 Channel 40 V 62.8 A 4.75 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 33.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
10 773En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.75 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 41.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 78A
Hoja de datos
10 889En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.75 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 41.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30Vds 20Vgs 12A 50A 2.5W
Hoja de datos
8 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
20 005En existencias
5 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.02 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 30V 6.4A
Hoja de datos
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Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6.4 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape