4536 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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79 850En existencias
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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3 491En existencias
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Panjit Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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: 3 000

SC-59-3 (SOT-23-3)
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK
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6 755En existencias
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: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 450 A dual IGBT module
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11En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
4 136En existencias
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
9 796En existencias
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
401En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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22 178En existencias
35 000En pedido
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
20 294En existencias
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
6 245En existencias
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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18 377En existencias
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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7 212En existencias
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Min.: 1
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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5 372En existencias
39 300En pedido
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Min.: 1
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Min.: 1
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: 5 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1061 60V 3A PNP BJT
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: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-2020D-3