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QPD0030

Name: Qorvo QPD0030
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0030
Price: 48325.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD0030

Fabricante N.º:

QPD0030

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-4GHz 45W GaN 48V

Hoja de datos:

QPD0030 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡48 325,60	₡48 325,60
	₡37 949,40	₡948 735,00
	₡30 212,20	₡3 021 220,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	₡24 684,80	₡6 171 200,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-20
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	48 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Dp - Disipación de potencia :	45 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	21.7 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	45 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD0030
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de las piezas n.º:	1132528
Peso de la unidad:	9,664 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 5A991.g

GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.