2041 Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 T&R 3K
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1 908En existencias
3 000En pedido
Min.: 1
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL
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376En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
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4 011En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 1 690
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
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2 428En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel, P-Channel

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 40V 1A 3-PIN
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6En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 T&R 10K
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000
MOSFETs Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT U-DFN2020-B-6 N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

MOSFETs Si SMD/SMT U-DFN2020-B-6 N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-2020-B-6
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK
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3 861En existencias
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Qorvo GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
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109En existencias
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Min.: 1
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GaN FETs GaN SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies FP20R06W1E3
Infineon Technologies Módulos IGBT N-CH 600V 27A
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Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount EASY1B
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT669/LFPAK PNP BIPOLAR TRANS
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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: 1 500

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT669-4 PNP
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS Screw Mount SOT502F-3 N-Channel
WeEn Semiconductors WG30N65UFW1Q
WeEn Semiconductors IGBTs WG30N65UFW1/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 440
Mult.: 240

IGBTs