2460 Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Hoja de datos
3 309En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

MOSFETs Si Through Hole TO-92-3 N-Channel

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20Ohm
Hoja de datos
3 919En existencias
6 070En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20Ohm
Hoja de datos
726En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-92-3 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 32A
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

MOSFETs Si Through Hole TO-92-3 N-Channel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 225 A dual IGBT module
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Modules Si