5110 Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 PNP
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 55A
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MOSFETs
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 12.6 m a. 10V 12.5 m a. 7.5V
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
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128 442En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V
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MOSFETs Si SMD/SMT SO-8 N-Channel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT89 45V 1A PNP BJT
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18En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-89-3 PNP
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1061 45V 1A PNP MEDPWR BJT
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2 770En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT HUSON-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-89-3 PNP
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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858En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT WG-WDSON-5 N-Channel
Diotec Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BJT, SOT-223, 45V, 1000mA, PNP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors
Infineon Technologies IRF100DM116XTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V No en existencias
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Mult.: 4 800
: 4 800

MOSFETs Si