TPH12008NH,L1Q
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757-TPH12008NHL1Q
TPH12008NH,L1Q
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
Hoja de datos:
En existencias: 19
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
5 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CRC)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| ₡911 | ₡911 | |
| ₡572 | ₡5 720 | |
| ₡382 | ₡38 200 | |
| ₡302 | ₡151 000 | |
| ₡266 | ₡266 000 | |
| ₡262 | ₡655 000 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| ₡249 | ₡1 245 000 | |
† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
