OptiMOS 3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
49 979En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
33 148En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
79 844En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
5 548En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 33 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
5 482En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1 335En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1 764En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 346 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
5 059En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
76En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 64 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 86 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1 507En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
53 840En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 81 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1 970En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 346 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1 746En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
4 047En existencias
4 000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
Hoja de datos
10 931En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 75 V 159 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 63.4 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1 198En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 120 V 180 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 211 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
122 445En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 81 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
9 564En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13.2 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
9 890En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 150 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
996En existencias
1 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 211 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
1 699En existencias
2 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 93 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
2 719En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 56 A 14.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 37 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1 993En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
6 441En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 67 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
6 621En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel