LSK489 Serie Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
544En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
72En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
407En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Bulk