STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A 2 988En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.7 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A 428En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 34 nC + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A 1 671En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II 2 200En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 385 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp 1 997En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte 2 731En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5 2 921En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 162 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh 1 019En existencias
Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp 919En existencias
Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO 2 141En existencias
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.5 A 745 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 17.4 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II 2 119En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 160 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos 870En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 1 003En existencias
1 000En pedido
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET 1 043En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET 496En existencias
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: 2 000

AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET 910En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET 187En existencias
200En pedido
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: 200

Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9 N-Channel 2 Channel 650 V 53 A 64 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 424 W Enhancement AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

Si N-Channel 650 V 64 A 35 mOhms AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET 461En existencias
Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET 2 142En existencias
Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8 4 620En existencias
3 000En pedido
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 125 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET 2 835En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET 1 774En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET 2 767En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 304 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET 2 534En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 373 A 1.1 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel