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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1 329

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH

STB7NK80ZT4
STMicroelectronics
1: ₡2 256,20
1 188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB7NK80ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB7NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH

Hoja de datos

1 188En existencias

Cinta cortada

₡2 256,20

₡1 426,80

₡1 055,60

₡945,40

Envase tipo carrete

₡881,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5.2 A

1.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A

STD26NF10
STMicroelectronics
1: ₡1 270,20
2 109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD26NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STD26NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A

Hoja de datos

2 109En existencias

Cinta cortada

₡1 270,20

₡817,80

₡552,16

₡440,22

₡422,82

Envase tipo carrete

₡393,82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

STD3NK50ZT4
STMicroelectronics
1: ₡986,00
6 933En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

6 933En existencias

Cinta cortada

₡986,00

₡655,40

₡451,82

₡357,28

₡334,66

Envase tipo carrete

₡299,86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.3 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp

STD45NF75T4
STMicroelectronics
1: ₡1 386,20
2 795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD45NF75T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD45NF75

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp

Hoja de datos

2 795En existencias

Cinta cortada

₡1 386,20

₡893,20

₡614,80

₡491,26

Envase tipo carrete

₡388,60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

40 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4N90K5
STMicroelectronics
1: ₡1 397,80
3 559En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

3 559En existencias

Cinta cortada

₡1 397,80

₡899,00

₡614,80

₡490,68

₡481,40

Envase tipo carrete

₡450,08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

3 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STF11NM80
STMicroelectronics
1: ₡4 048,40
910En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

910En existencias

₡4 048,40

₡1 983,60

₡1 879,20

₡1 861,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

STF15NM65N
STMicroelectronics
1: ₡3 190,00
938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15NM65N

N.º de artículo de Mouser
511-STF15NM65N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

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Hoja de datos

938En existencias

₡3 190,00

₡1 676,20

₡1 490,60

₡1 316,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15.5 A

270 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

33.3 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
1: ₡2 308,40
8 330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

8 330En existencias

₡2 308,40

₡1 177,40

₡1 067,20

₡875,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

279 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

STF18NM80
STMicroelectronics
1: ₡4 790,80
403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

403En existencias

₡4 790,80

₡2 494,00

₡2 418,60

₡2 354,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

STF23N80K5
STMicroelectronics
1: ₡3 532,20
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF23N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

Hoja de datos

795En existencias

₡3 532,20

₡1 873,40

₡1 711,00

₡1 554,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF3LN80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 218,00
3 153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

3 153En existencias

₡1 218,00

₡591,60

₡526,06

₡418,76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

2.63 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: ₡2 575,20
1 086En existencias
1 000Se espera el 25/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF40N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

1 086En existencias

1 000Se espera el 25/5/2026

₡2 575,20

₡1 890,80

₡1 653,00

₡1 548,60

₡1 479,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

56.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1: ₡2 726,00
940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH240N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

Obtenga más información

Hoja de datos

940En existencias

Cinta cortada

₡2 726,00

₡1 803,80

₡1 386,20

₡1 229,60

Envase tipo carrete

₡1 090,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL160N4F7
STMicroelectronics
1: ₡1 125,20
4 235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL160N4F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N4F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Hoja de datos

4 235En existencias

Cinta cortada

₡1 125,20

₡719,20

₡484,30

₡383,96

₡351,48

Envase tipo carrete

₡334,66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

4.8 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL260N4F7
STMicroelectronics
1: ₡2 082,20
5 403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL260N4F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

Obtenga más información

Hoja de datos

5 403En existencias

Cinta cortada

₡2 082,20

₡1 351,40

₡974,40

₡858,40

₡829,40

Envase tipo carrete

₡800,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH

STP20NK50Z
STMicroelectronics
1: ₡3 236,40
4 267En existencias
1 906En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP20NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

4 267En existencias

1 906En pedido

₡3 236,40

₡1 461,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

270 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60
STMicroelectronics
1: ₡2 807,20
974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

974En existencias

₡2 807,20

₡1 919,80

₡1 844,40

₡1 815,40

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: ₡4 292,00
708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

Obtenga más información

Hoja de datos

708En existencias

₡4 292,00

₡2 204,00

₡2 099,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡2 488,20
1 406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1 406En existencias

₡2 488,20

₡1 421,00

₡1 322,40

₡1 177,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP45N60DM6
STMicroelectronics
1: ₡2 998,60
982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

Obtenga más información

Hoja de datos

982En existencias

₡2 998,60

₡2 859,40

₡2 430,20

₡2 163,40

₡1 914,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP46N60M6
STMicroelectronics
1: ₡4 292,00
992En existencias
1 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP46N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP46N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

992En existencias

1 000En pedido

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

53.5 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.2 A

1.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

STU7NM60N
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Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5 A

2.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

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MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W