IXYS CoolMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 600V 0.19 Rds
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19En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 87 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 600V
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Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 70 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C Enhancement CoolMOS Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 600 V 47 A 45 mOhms CoolMOS Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 600V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.6 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V
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No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 250 W Enhancement CoolMOS Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8.5 A 165 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 52 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement CoolMOS Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35 Amps 600V
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Plazo de entrega no en existencias 83 Semanas

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C Enhancement CoolMOS Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 70 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 150 C Enhancement CoolMOS Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 85 Amps 600V 36 Rds
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Plazo de entrega 13 Semanas

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 85 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 500 nC - 55 C + 150 C Enhancement CoolMOS Tube