Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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OptiMOS
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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BSO220N03MDGXUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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Infineon Technologies
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Si
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
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AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
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726-BSC360N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
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3 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
BSC026NE2LS5ATMA1
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726-BSC026NE2LS5ATMA
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
82 A
4 mOhms
- 16 V, 16 V
1.2 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
BSC036NE7NS3 G
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
75 V
159 A
3.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
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- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
OptiMOS
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