OptiMOS 7 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 74
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
Hoja de datos
550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
2 698En existencias
200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
9 994En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
170En existencias
200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3 943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 177 A 2.4 mOhms 16 V 2 V 65.2 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3 760En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3 340En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
5 391En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
21En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 62 A 5.41 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
186En existencias
200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
2 898En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 293 A 1.26 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3 783En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 210 A 1.8 mOhms 20 V 2 V 79.9 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3 529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Hoja de datos
1 647En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 80 V 262 A 1.63 mOhms 20 V 3.2 V 83 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Hoja de datos
5 939En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-2 N-Channel 1 Channel 80 V 223 A 1.94 mOhms 20 V 3.2 V 68 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
Hoja de datos
5 927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 186 A 2.44 mOhms 20 V 3.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Hoja de datos
5 524En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 103 A 4.54 mOhms 20 V 3.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 98 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
5 213En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
5 380En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
10 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.05 mOhms 16 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3 313En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 7.8 mOhms 20 V 3.2 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
3 593En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4 730En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4 478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape