ThunderFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263 17 028En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S 3 592En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 150 V 20.2 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 17 532En existencias
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: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 40V 200A 3 895En existencias
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: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 990 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220 2 973En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 63 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220 1 226En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 9 432En existencias
9 457En pedido
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 81 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 2 101En existencias
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: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 1 047En existencias
1 577En pedido
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-220 1 948En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TSOP-6 17 172En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 150 V 2.2 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 1.65 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 1 000En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 81 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB 907En existencias
2 641En pedido
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 35.8 A 31.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 215En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK No en existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42.8 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement ThunderFET Tube