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BSC016N06NSATMA1

Name: Infineon BSC016N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC016N06NSATMA1
Price: 1885 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSC016N06NSATMA1

Fabricante N.º:

BSC016N06NSATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

Hoja de datos:

BSC016N06NSATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 885	₡1 885
	₡1 189	₡11 890
	₡858	₡85 800
	₡696	₡348 000
	₡650	₡650 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡609	₡3 045 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BSC016N06NS

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡1 752

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	95 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	139 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC016N06NS SP000924882
Peso de la unidad:	200 mg

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Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 60V N-Channel (Cierre)

Technical Resources

Test/Quality Data

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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