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BSC034N06NSATMA1

Name: Infineon BSC034N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC034N06NSATMA1
Price: 1600.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSC034N06NSATMA1

Fabricante N.º:

BSC034N06NSATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos:

BSC034N06NSATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 600,80	₡1 600,80
	₡1 026,60	₡10 266,00
	₡707,60	₡70 760,00
	₡567,82	₡283 910,00
	₡511,56	₡511 560,00
	₡503,44	₡1 258 600,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡477,34	₡2 386 700,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BSC034N06NS

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡1 653,00

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	33 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	74 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	46 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC034N06NS SP001067010
Peso de la unidad:	104,400 mg

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Models

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 60V N-Channel (Cierre)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.