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BSG0811NDATMA1

Name: Infineon BSG0811NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSG0811NDATMA1
Price: 1809.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSG0811NDATMA1

Fabricante N.º:

BSG0811NDATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Hoja de datos:

BSG0811NDATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 809,60	₡1 809,60
	₡1 125,20	₡11 252,00
	₡823,60	₡82 360,00
	₡667,00	₡333 500,00
	₡620,60	₡620 600,00
	₡597,40	₡1 493 500,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡576,52	₡2 882 600,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BSG0811ND

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡1 728,40

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TISON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A, 50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	5.6 nC, 20 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W, 6.25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	1.4 ns, 2.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	46 S, 90 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.3 ns, 4.7 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	4.3 ns, 8.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.3 ns, 5.6 ns
Alias de las piezas n.º:	BSG0811ND SP001075902
Peso de la unidad:	112,200 mg

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SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 25V N-Channel (Cierre)

Technical Resources

Article Improving Power Density and Efficiency in Servers and Telecom PSD (PDF)

Test/Quality Data

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.