IPD110N12N3GATMA1
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
En existencias: 11 325
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Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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11 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CRC)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ | ||
| ₡1 589 | ₡1 589 | |
| ₡1 032 | ₡10 320 | |
| ₡708 | ₡70 800 | |
| ₡568 | ₡284 000 | |
| ₡557 | ₡557 000 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| ₡530 | ₡1 325 000 | |
| ₡514 | ₡2 570 000 | |
Hoja de datos
Application Notes
- Application Note Introduction to Infineons Power MOSFET Simulation Models (PDF)
- Application Note Linear Mode Operation and SOA Power MOSFETs (PDF)
- Application Note Some key facts about avalanche (PDF)
- Buck converters negative spike at phase node (PDF)
- MOSFET detailed MOSFET behavioral analysis (Cierre)
- MOSFET OptiMOS™ optimum selection for synchronous rectification (PDF)
- MOSFET OptiMOS™ selection for DC-DC converters (PDF)
- Package recommendations for assembly of Infineon TO-packages (PDF)
- Package Recommendations for board assembly of PG-T(S)DSON packages (PDF)
Models
- PCB Footprints & Symbols - OptiMOS™ Power MOSFETs 120V - Altium - v1.0 (Cierre)
- PCB Footprints & Symbols - OptiMOS™ Power MOSFETs 120V - Cadence - v1.0 (Cierre)
- PCB Footprints & Symbols - OptiMOS™ Power MOSFETs 120V - Eagle - v1.0 (Cierre)
- PCB Footprints & Symbols - OptiMOS™ Power MOSFETs 120V - Mentor - v1.0 (Cierre)
Other
Product Catalogs
SPICE Models
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Costa Rica
