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STH3N150-2

Name: STMicroelectronics STH3N150-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH3N150-2
Price: 3491.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STH3N150-2

Fabricante N.º:

STH3N150-2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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STH3N150-2 Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡3 491,60	₡3 491,60
	₡2 343,20	₡23 432,00
	₡1 687,80	₡168 780,00
	₡1 670,40	₡835 200,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡1 560,20	₡1 560 200,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H2PAK-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.5 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	29.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	140 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerMESH
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	SG
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	61 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	47 ns
Serie:	STH3N150-2
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Peso de la unidad:	4 g

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Hoja de datos

STH3N150-2 Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.