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STMicroelectronics PowerMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics Nombre comercial = PowerMESH

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

STE40NC60
STMicroelectronics
1: ₡22 799,80
146En existencias
100En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE40NC60

N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

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Hoja de datos

146En existencias

100En pedido

₡22 799,80

₡17 504,40

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

430 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

STE53NC50
STMicroelectronics
1: ₡22 040,00
164En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE53NC50

N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

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Hoja de datos

164En existencias

300En pedido

₡22 040,00

₡18 014,80

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

500 V

53 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

434 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: ₡2 563,60
1 379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

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Hoja de datos

1 379En existencias

₡2 563,60

₡1 421,00

₡1 032,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: ₡3 851,20
1 375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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Hoja de datos

1 375En existencias

₡3 851,20

₡2 244,60

₡1 815,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

STP4N150
STMicroelectronics
1: ₡3 248,00
617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

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Hoja de datos

617En existencias

₡3 248,00

₡1 711,00

₡1 571,80

₡1 502,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

STW3N170
STMicroelectronics
1: ₡3 555,40
1 188En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

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Hoja de datos

1 188En existencias

600En pedido

₡3 555,40

₡2 059,00

₡1 653,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

13 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

STW4N150
STMicroelectronics
1: ₡4 193,40
813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

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Hoja de datos

813En existencias

₡4 193,40

₡2 418,60

₡1 989,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

STW9N150
STMicroelectronics
1: ₡5 498,40
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW9N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

Hoja de datos

564En existencias

₡5 498,40

₡3 242,20

₡2 882,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

8 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

89.3 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: ₡3 596,00
227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

227En existencias

₡3 596,00

₡2 082,20

₡1 658,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

STH3N150-2
STMicroelectronics
1: ₡3 491,60
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH3N150-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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Hoja de datos

102En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

₡3 491,60

₡2 343,20

₡1 687,80

₡1 670,40

Envase tipo carrete

₡1 560,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STP3N150
STMicroelectronics
1: ₡3 172,60
78En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

78En existencias

Más información disponible

₡3 172,60

₡1 699,40

₡1 548,60

₡1 403,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

29.3 nC

- 50 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STW3N150
STMicroelectronics
1: ₡2 598,40

N.º de artículo del Fabricante
STW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

Más información disponible

₡2 598,40

₡1 548,60

₡1 281,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

STMicroelectronics PowerMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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