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IPP175N20NM6AKSA1

Name: Infineon IPP175N20NM6AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP175N20NM6AKSA
Price: 1850 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPP175N20NM6AKSA

Fabricante N.º:

IPP175N20NM6AKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Ciclo de vida:

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	₡1 850	₡1 850
	₡928	₡9 280
	₡841	₡84 100
	₡690	₡345 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	61 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	31 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	203 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	9.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	13 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	23 ns
Serie:	OptiMOS 6
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	IPP175N20NM6 SP006070086

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.