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BSC110N15NS5ATMA1

Name: Infineon BSC110N15NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC110N15NS5ATMA
Price: 2018 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSC110N15NS5ATMA

Fabricante N.º:

BSC110N15NS5ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

Hoja de datos:

BSC110N15NS5ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 018	₡2 018
	₡1 346	₡13 460
	₡974	₡97 400
	₡853	₡426 500
	₡800	₡2 000 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡795	₡3 975 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	76 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	2.9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	29 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.3 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10.3 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC110N15NS5 SP001181418
Peso de la unidad:	104,400 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.