Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
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841-MRFE6S9060NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
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RF MOSFET Transistors
Screw Mount
TO-270
Si
1 GHz
14 W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
AFM907NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
15 675 En existencias
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
DFN-16
Si
136 MHz to 941 MHz
8 W
- 40 C
+ 150 C
15 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
OM-780-4
Si
720 MHz to 960 MHz
100 W
- 40 C
+ 150 C
19.2 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-1230
Si
1.8 MHz to 600 MHz
600 W
+ 150 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
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841-AFM906NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
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Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
HVSON-16
Si
136 MHz to 941 MHz
6.5 W
- 40 C
+ 150 C
16.2 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
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841-AFT09MS031NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-2
Si
764 MHz to 941 MHz
32 W
- 40 C
+ 150 C
15.7 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
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841-MRF1K50NR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
40 En existencias
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
OM-1230-4
Si
1.8 MHz to 500 MHz
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
23 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
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771-MRF101BN
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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No
RF MOSFET Transistors
Through Hole
TO-220-3
Si
1.8 MHz to 250 MHz
115 W
- 40 C
+ 150 C
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Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
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841-AFT05MP075GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
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Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-WBG-4
Si
136 MHz to 520 MHz
70 W
- 40 C
+ 150 C
18.5 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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RF MOSFET Transistors
Through Hole
TO-247-3
Si
1.8 MHz to 250 MHz
330 W
- 40 C
+ 150 C
20.4 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
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841-AFT05MS031GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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500
₡13 108
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Presupuesto
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Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-2
Si
136 MHz to 520 MHz
33 W
- 40 C
+ 150 C
17.7 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
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841-MRFE6VP6300HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
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RF MOSFET Transistors
Screw Mount
NI-780-4
Si
1.8 MHz to 600 MHz
300 W
+ 150 C
26.5 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
MW6S004NT1
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N.º de artículo de Mouser
841-MW6S004NT1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
1 075 En existencias
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Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PLD-1.5-4
Si
1 MHz to 2 GHz
4 W
+ 150 C
18 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
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771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
46 En existencias
1
₡231 884
10
₡200 732
50
₡200 732
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
NI-1230H-4
Si
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
25.1 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
₡202 652
19 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
19 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
OM-1230-4
Si
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
24.4 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
₡29 887
154 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
154 En existencias
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1
₡29 887
10
₡23 542
100
₡21 796
500
₡20 868
1 000
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1 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-WB-4
Si
136 MHz to 520 MHz
70 W
- 40 C
+ 150 C
18.5 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
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6 272 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
6 272 En existencias
1
₡2 274
10
₡1 572
100
₡1 346
500
₡1 299
1 000
₡1 253
2 000
₡1 212
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
SOT-89-3
Si
136 MHz to 941 MHz
4.9 W
- 40 C
+ 150 C
20.9 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
₡13 526
517 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
517 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
TO-270-2
Si
136 MHz to 520 MHz
33 W
- 40 C
+ 150 C
17.7 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
₡6 861
943 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
943 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡6 861
10
₡4 866
100
₡4 193
500
₡4 014
1 000
₡3 845
2 000
Ver
2 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PLD-1.5
Si
136 MHz to 941 MHz
7.3 W
- 40 C
+ 150 C
15.2 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1:
₡11 884
484 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
484 En existencias
1
₡11 884
10
₡9 054
100
₡8 097
500
₡8 016
1 000
₡7 807
2 000
Ver
2 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PLD-1.5
Si
1 MHz to 2 GHz
4 W
+ 150 C
19 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
₡226 061
21 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
21 En existencias
1
₡226 061
10
₡195 640
50
₡195 640
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Si
1.8 MHz to 500 MHz
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
23.7 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
₡336 406
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-1230
Si
1.8 MHz to 600 MHz
600 W
+ 150 C
25 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
₡244 000
104 En existencias
350 En pedido
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
104 En existencias
350 En pedido
Embalaje alternativo
1
₡244 000
10
₡204 949
50
₡204 949
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
NI-1230H-4
Si
1.8 MHz to 600 MHz
1.25 kW
+ 150 C
24 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
BFU520YX
NXP Semiconductors
1:
₡551
22 446 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU520YX
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
22 446 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡551
10
₡357
100
₡293
3 000
₡293
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-363-6
Bipolar Wideband
Si
10 GHz
7 dBm
- 40 C
+ 150 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
BFU530WF
NXP Semiconductors
1:
₡522
7 220 En existencias
9 960 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU530WF
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
7 220 En existencias
9 960 En pedido
1
₡522
10
₡360
100
₡228
500
₡141
1 000
Ver
10 000
₡56,8
1 000
₡104
2 500
₡96,3
5 000
₡80
10 000
₡56,8
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-323-3
Bipolar Wideband
Si
11 GHz
10 dBm
- 40 C
+ 150 C
Reel, Cut Tape