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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 91

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Fabricante = STMicroelectronics

Polaridad del transistor

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: ₡4 860
3 796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3 796En existencias

Cinta cortada

₡4 860

₡3 497

₡3 057

₡3 010

Envase tipo carrete

₡3 010

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

15 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: ₡6 455
6 597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

6 597En existencias

₡6 455

₡4 495

₡4 135

₡4 130

₡4 112

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: ₡8 851
1 546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1 546En existencias

₡8 851

₡6 264

₡5 817

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060-E
STMicroelectronics
1: ₡33 362
870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57060-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

870En existencias

₡33 362

₡27 376

₡27 069

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: ₡9 959
1 494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1 494En existencias

₡9 959

₡6 664

₡6 618

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035-E
STMicroelectronics
1: ₡19 175
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD85035-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

503En existencias

₡19 175

₡16 049

₡14 042

₡14 024

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8 A

40 V

870 MHz

14.9 dB

35 W

- 65 C

+ 165 C

SMD/SMT

PowerSO-12

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003S-E
STMicroelectronics
1: ₡6 032
472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

472En existencias

₡6 032

₡4 164

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: ₡17 963
210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

210En existencias

₡17 963

₡12 638

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55025S-E
STMicroelectronics
1: ₡15 979
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

144En existencias

₡15 979

₡12 105

₡12 099

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015-E
STMicroelectronics
1: ₡13 218
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

167En existencias

₡13 218

₡9 547

₡9 025

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-11W
STMicroelectronics
1: ₡60 917
5En existencias
50En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-11W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

5En existencias

50En pedido

₡60 917

₡41 070

₡40 211

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

175 MHz

14 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD54003-E
STMicroelectronics
1: ₡6 931
115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

115En existencias

₡6 931

₡3 909

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

25 V

1 GHz

12 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: ₡12 615
576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

576En existencias

Cinta cortada

₡12 615

₡9 466

₡8 572

Envase tipo carrete

₡8 572

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1: ₡111 743
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L15120CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

₡111 743

₡91 234

Envase tipo carrete

₡91 228

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

2.5 A

95 V

1 Ohms

1 GHz

20 dB

120 W

+ 200 C

SMD/SMT

LBB-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: ₡100 050
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

₡100 050

₡84 958

Envase tipo carrete

₡81 362

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

110 V

1 Ohms

1 GHz

19 dB

400 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1: ₡100 044
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

20En existencias

Cinta cortada

₡100 044

₡81 362

Envase tipo carrete

₡81 362

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

65 V

1 Ohms

1.6 GHz

14 dB

180 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD55003L-E
STMicroelectronics
1: ₡4 460
3 632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

3 632En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

₡4 460

₡3 202

₡2 790

₡2 738

Envase tipo carrete

₡2 738

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015S-E
STMicroelectronics
1: ₡13 375
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

310En existencias

₡13 375

₡10 945

₡9 669

₡9 025

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-10W
STMicroelectronics
1: ₡54 839
305En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

305En existencias

300En pedido

₡54 839

₡45 315

₡40 809

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

230 MHz

15 dB

150 W

+ 150 C

SMD/SMT

M174

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

SD2932W
STMicroelectronics
1: ₡117 543
108En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

Hoja de datos

108En existencias

₡117 543

₡95 259

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

125 V

250 MHz

16 dB

300 W

+ 150 C

SMD/SMT

M244

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003TR-E
STMicroelectronics
1: ₡5 121
389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

389En existencias

Cinta cortada

₡5 121

₡3 695

₡3 231

Envase tipo carrete

₡3 190

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55008TR-E
STMicroelectronics
1: ₡8 851
682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

682En existencias

Cinta cortada

₡8 851

₡6 542

₡5 817

Envase tipo carrete

₡5 817

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD57018-E
STMicroelectronics
1: ₡16 756
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57018-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

580En existencias

₡16 756

₡12 818

₡12 429

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57030-E
STMicroelectronics
1: ₡28 350
234En existencias
396En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PD57030-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

234En existencias

396En pedido

₡28 350

₡21 222

₡20 683

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

1 GHz

14 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

SD2933W
STMicroelectronics
1: ₡81 009

N.º de artículo del Fabricante
SD2933W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

Hoja de datos

Más información disponible

₡81 009

₡67 698

Min.: 1
Mult.: 1

Bulk

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 MHz
100 MHz
150 MHz
175 MHz
200 MHz
230 MHz
250 MHz
500 MHz
860 MHz
870 MHz
930 MHz
945 MHz
1 GHz
1.47 GHz
1.5 GHz
1.6 GHz
1.625 GHz
2.7 GHz
3.5 GHz
3.6 GHz

11.5 dB
12 dB
12.5 dB
13 dB
13.4 dB
14 dB
14.3 dB
14.5 dB
14.8 dB
14.9 dB
15 dB
16 dB
16.5 dB
17 dB
17.3 dB
17.5 dB
18 dB
19 dB
20 dB
21 dB

3 W
8 W
12 W
15 W
18 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
60 W
75 W
80 W
120 W
150 W
175 W
180 W
200 W
250 W
300 W

A2-3
B2-3
B4E-5
E2-3
LBB-3
LBB-4
LBB-5
M174
M177
M177MR-5
M243
M243-3
M244
M246
M250
MM-2
PowerFLAT (5x5)
PowerSO-10
PowerSO-10RF-2
PowerSO-10RF-Formed-4