Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
CML Micro MWT-9F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
Carrete: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 11 dB 26.5 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-9F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
Carrete: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 11 dB 26.5 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-9F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
Carrete: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 11 dB 26.5 dBm SMD/SMT Die Reel
MACOM MRF175LU
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N-Channel Si 13 A 65 V 400 MHz 10 dB 100 W - 65 C + 150 C 333-4 Bulk
ZiLOG Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

N-Channel Si 18 A 600 V 530 mOhms 350 W - 55 C + 175 C Through Hole TO-247-3 Tube
CEL NE5550979A-EV04-A
CEL Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
Hoja de datos
N/A
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
Guerrilla RF GRF0020D
Guerrilla RF Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 50V, DC - 7GHz, 30W GaN HEMT, Bare Die
Hoja de datos
No en existencias
GaN-on-SiC 1.27 mA 150 V 0 Hz to 7 GHz 30 W + 225 C SMD/SMT Waffle
Guerrilla RF GRF0030D
Guerrilla RF Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 50V, DC - 6.0GHz, 50W GaN HEMT, Bare Die
Hoja de datos
No en existencias
GaN-on-SiC 1.93 mA 150 V 0 Hz to 7 GHz 50 W + 225 C SMD/SMT Waffle
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10 Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SD2931-12MR
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk