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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A

ARF475FL
Microchip Technology
1: ₡87 237,80
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF475FL

N.º de artículo de Mouser
494-ARF475FL

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A

Hoja de datos

9En existencias

Más información disponible

₡87 237,80

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

10 A

500 V

150 MHz

15 dB

900 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

ARF476FL
Microchip Technology
1: ₡91 866,20
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF476FL

N.º de artículo de Mouser
494-ARF476FL

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

Hoja de datos

8En existencias

₡91 866,20

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

10 A

500 V

150 MHz

15 dB

900 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

MHT1803B
NXP Semiconductors
1: ₡22 689,60
326En existencias
240En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803B

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

326En existencias

240En pedido

₡22 689,60

₡18 043,80

₡16 141,40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

300 W

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

NVJD5121NT1G-M06
onsemi
1: ₡237,80
29 079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVJD5121NT1G-M06

N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06

onsemi

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

Hoja de datos

29 079En existencias

Cinta cortada

₡237,80

₡146,16

₡92,22

₡69,02

₡60,32

Envase tipo carrete

₡51,04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1

ARF1500
Microchip Technology
1: ₡180 240,80
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1500

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1500

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

3En existencias

₡180 240,80

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

60 A

500 V

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1510
Microchip Technology
1: ₡198 847,20
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1510

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1510

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

4En existencias

₡198 847,20

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

SD2932BW
STMicroelectronics
1: ₡123 992,40
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932BW

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

36En existencias

₡123 992,40

₡105 676,00

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

125 V

250 MHz

15 dB

300 W

+ 200 C

Screw Mount

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1: ₡97 764,80
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V10010NR4

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

₡97 764,80

₡81 211,60

Envase tipo carrete

₡75 121,60

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

100 V

960 MHz to 1.4 GHz

25 dB

10 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

PLD-1.5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH31F
CML Micro
1: ₡18 473,00
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH31F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH31F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

20En existencias

₡18 473,00

₡17 104,20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

GaAs

240 mA to 280 mA

18 GHz

13 dB

30 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH32F
CML Micro
1: ₡22 341,60
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH32F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH32F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

10En existencias

₡22 341,60

₡20 688,60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

GaAs

310 mA to 360 mA

12 GHz

13 dB

30.5 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART450FE/SOT1121/TRAY

ART450FEU
Ampleon
1: ₡102 741,20
1En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART450FEU

N.º de artículo de Mouser
94-ART450FEU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART450FE/SOT1121/TRAY

Hoja de datos

1En existencias

Más información disponible

₡102 741,20

₡82 510,80

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

340 mOhms

1 MHz to 650 MHz

27 dB

450 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT1121A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

BLM7G1822S-40PBGY
Ampleon
1: ₡24 667,40
45En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM7G1822S-40PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-40PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

₡24 667,40

₡20 526,20

Envase tipo carrete

₡18 270,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

65 V

1.805 GHz to 2.17 GHz

33 dB

45.1 W

+ 150 C

SMD/SMT

SOT1212-3-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL

BLP5LA55SXY
Ampleon
1: ₡15 056,80
72En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP5LA55SXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP5LA55SXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL

Hoja de datos

72En existencias

Cinta cortada

₡15 056,80

₡12 319,20

Envase tipo carrete

₡10 161,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

30 V

60 mOhms

520 MHz

19.6 dB

55 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/TO270/REEL

BLP9LA25SGXY
Ampleon
1: ₡11 408,60
114En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP9LA25SGXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP9LA25SGXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/TO270/REEL

Hoja de datos

114En existencias

Cinta cortada

₡11 408,60

₡9 390,20

Envase tipo carrete

₡8 114,20

₡7 174,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

40 V

128 mOhms

941 MHz

18.8 dB

25 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA030121EA-V1-R0
MACOM
1: ₡28 315,60
41En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA030121EA-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

41En existencias

Cinta cortada

₡28 315,60

₡24 151,20

Envase tipo carrete

₡24 151,20

₡21 123,60

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

1 mA

105 V

2.8 Ohms

390 MHz to 450 MHz

25 dB

12 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-36265-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA120251EA-V2-R0
MACOM
1: ₡30 890,80
7En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA120251EA-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

₡30 890,80

₡29 493,00

Envase tipo carrete

₡29 493,00

₡27 521,00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

10 mA

105 V

1.4 Ohms

500 MHz to 1.4 GHz

18 dB

25 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-36265-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

VRF150MP
Microchip Technology
1: ₡81 049,20
12En existencias
11En pedido

N.º de artículo del Fabricante
VRF150MP

N.º de artículo de Mouser
494-VRF150MP

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

Hoja de datos

12En existencias

11En pedido

₡81 049,20

₡68 573,40

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

180 V

150 MHz

18 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC270101M-V1-R1K
MACOM
1: ₡16 837,40
6En existencias
1 575En pedido
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
PTFC270101M-V1-R1K

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC270101M1RK

Pedido especial de fábrica

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

6En existencias

1 575En pedido

Cinta cortada

₡16 837,40

₡14 407,20

₡14 378,20

Envase tipo carrete

₡14 378,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

N-Channel

10 mA

65 V

2 Ohms

900 MHz to 2.7 GHz

19.5 dB

5 W

+ 225 C

SMD/SMT

SON-10

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

VRF150
Microchip Technology
1: ₡39 718,40

N.º de artículo del Fabricante
VRF150

N.º de artículo de Mouser
494-VRF150

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

Hoja de datos

Más información disponible

₡39 718,40

₡33 605,20

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

180 V

150 MHz

18 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

UF28150J
MACOM
1: ₡335 251,60

N.º de artículo del Fabricante
UF28150J

N.º de artículo de Mouser
937-UF28150J

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

Hoja de datos

Más información disponible

₡335 251,60

₡285 151,20

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

8 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY

BLF647P,112
Ampleon
1: ₡129 015,20
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF647P,112

N.º de artículo de Mouser
94-BLF647P112

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡129 015,20

₡109 625,80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

100 mA

65 V

140 mOhms

1.5 GHz

18 dB

200 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-1121A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY

BLS9G2731L-400U
Ampleon
1: ₡207 825,60
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLS9G2731L-400U

N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2731L-400U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡207 825,60

₡179 846,40

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

30 mOhms

2.7 GHz to 3.1 GHz

13 dB

400 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT502A-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

VRF151
Microchip Technology
1: ₡40 675,40

N.º de artículo del Fabricante
VRF151

N.º de artículo de Mouser
494-VRF151

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

Hoja de datos

Más información disponible

₡40 675,40

₡34 411,40

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

180 V

175 MHz

22 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS

MRF166W
MACOM
1: ₡103 251,60

N.º de artículo del Fabricante
MRF166W

N.º de artículo de Mouser
937-MRF166W

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

Más información disponible

₡103 251,60

₡81 118,80

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

MRF275G
MACOM
1: ₡197 379,80

N.º de artículo del Fabricante
MRF275G

N.º de artículo de Mouser
937-MRF275G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡197 379,80

₡166 668,80

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

26 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

11.2 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5