Transistores de radiofrecuencia

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT-343-4 Si 520 MHz 200 mW 13 dB Reel
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PW-X-4 Si 520 MHz 12 W 10.8 dB Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF JFET Transistors 0.41 mm x 0.34 mm pHEMT GaAs 13 dB Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.80mm Pwr pHEMT Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

RF JFET Transistors pHEMT Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 2 MHz to 175 MHz 120 W 13 dB
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

RF Bipolar Transistors 355J-2 Bipolar Power Si 1.15 GHz - 65 C + 200 C
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 200 MHz 80 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 333-04 Si 500 MHz 100 W - 65 C + 150 C 8.8 dB Tray
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,20-500MHz,28V,10W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

RF Bipolar Transistors Screw Mount Ceramic-2 Bipolar Si 2.7 GHz to 2.9 GHz 110 W + 200 C
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

RF Bipolar Transistors Si
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20
RF MOSFET Transistors SMD/SMT 319-07 Si 100 MHz to 500 MHz 40 W - 55 C + 150 C 10 dB Tray
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 25 dBm + 150 C 16 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 28.5 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 21.5 dBm + 150 C 14 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 23 dBm + 150 C 15 dB Bulk
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2G-1-3 LDMOS 1 MHz to 650 MHz 150 W + 225 C 31.2 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2F-1-3 LDMOS 1 MHz to 650 MHz 150 W + 225 C 31.2 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1248C-5 LDMOS 1 MHz to 425 MHz 1.6 kW + 225 C 28 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHS/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539BN-5 LDMOS 1 MHz to 425 MHz 1.6 kW + 225 C 28 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT LDMOS 1 MHz to 450 MHz 1.6 kW + 225 C 27.3 dB Reel