Transistores de radiofrecuencia

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 14 dB Tray
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 2.515 GHz to 2.675 GHz 240 W + 225 C 13.5 dB Bulk
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.452 GHz to 1.492 GHz 350 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.025 GHz 160 W + 225 C 15 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.452 GHz to 1.492 GHz 350 W - 40 C + 150 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.427 GHz to 1.518 GHz 600 W - 40 C + 125 C 17.4 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.427 GHz to 1.518 GHz 600 W - 40 C + 125 C 17.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 360 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 360 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 400 W - 40 C + 125 C 15.7 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 600 W - 40 C + 125 C 16 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 600 W - 40 C + 125 C 16 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT539/REELDP
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-5-7 LDMOS 1.93 GHz to 2 GHz 160 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYD
Hoja de datos

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-5-7 LDMOS 1.93 GHz to 2 GHz 160 W - 40 C + 150 C 15 dB Tray