Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH9F73
MWT-PH9F73
CML Micro
10:
₡54 821,60
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938-MWT-PH9F73
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
GaAs
26 GHz
28 dBm
13 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
MACOM GTRB267008FC-V1-R0
GTRB267008FC-V1-R0
MACOM
50:
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941-GTRB267008FCV1R0
MACOM
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
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RF JFET Transistors
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
MACOM GTRB267008FC-V1-R2
GTRB267008FC-V1-R2
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250:
₡106 760,60
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941-GTRB267008FCV1R2
MACOM
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
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RF JFET Transistors
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
PTFA220041M-V4-R1K
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1 000:
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941-PTFA220041MV4R1K
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
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RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
PTFB241402FC-V1-R250
MACOM
250:
₡53 133,80
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941-PTFB241402FCR250
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
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RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
PTFB241402FC-V1-R0
MACOM
50:
₡58 330,60
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941-PTFB241402FCV1R0
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
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Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
MACOM PTNC210604MD-V2-R5
PTNC210604MD-V2-R5
MACOM
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₡30 426,80
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941-PTNC210604MDV2R5
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
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500
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
MACOM PTVA082407NF-V2-R5
PTVA082407NF-V2-R5
MACOM
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₡40 170,80
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941-PTVA082407NFV2R5
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
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RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
MACOM PXAE261908NF-V1-R5
PXAE261908NF-V1-R5
MACOM
500:
₡41 348,20
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941-PXAE261908NFV1R5
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
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500
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB
MACOM LTA/PTNC210604MD-V2
LTA/PTNC210604MD-V2
MACOM
1:
₡429 838,00
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941-TAPTNC210604MDV2
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB
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1
₡429 838,00
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RF MOSFET Transistors
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA082808NF-V1
MACOM LTA/PTRA082808NF-V1
LTA/PTRA082808NF-V1
MACOM
1:
₡429 838,00
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941-TAPTRA082808NFV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA082808NF-V1
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1
₡429 838,00
10
₡382 695,60
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RF MOSFET Transistors
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA093818NF-V1
MACOM LTA/PTRA093818NF-V1
LTA/PTRA093818NF-V1
MACOM
1:
₡429 838,00
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N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA093818NFV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA093818NF-V1
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1
₡429 838,00
10
₡382 695,60
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included
MACOM LTN/PTNC210604MD-V2
LTN/PTNC210604MD-V2
MACOM
1:
₡429 838,00
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N.º de artículo de Mouser
941-TNPTNC210604MDV2
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included
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1
₡429 838,00
10
₡382 695,60
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RF MOSFET Transistors
Si
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05200CB4
RF3L05200CB4
STMicroelectronics
100:
₡96 732,40
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05200CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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100
Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
LBB-3
Si
945 MHz
200 W
16 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05400CB4
RF3L05400CB4
STMicroelectronics
100:
₡80 480,80
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05400CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
LBB-3
Si
500 MHz
380 W
17 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L051K4CB4
RF5L051K4CB4
STMicroelectronics
100:
₡106 464,80
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L051K4CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L08600CB4
RF5L08600CB4
STMicroelectronics
100:
₡110 849,60
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08600CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Tray
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STGWT30HP65FB
STMicroelectronics
600:
₡1 189,00
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STGWT30HP65FB
NRND
STMicroelectronics
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
600
₡1 189,00
1 200
₡1 055,60
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Min.: 600
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Detalles
RF Bipolar Transistors
Si
Tube
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
WeEn Semiconductors TB100EP
TB100EP
WeEn Semiconductors
1:
₡266,80
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND
N.º de artículo del Fabricante
TB100EP
N.º de artículo de Mouser
771-TB100EP
NRND
WeEn Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
1
₡266,80
10
₡197,20
100
₡122,96
500
₡84,68
1 000
Ver
1 000
₡69,60
2 500
₡63,22
5 000
₡53,94
10 000
₡45,82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
Si
Bulk
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
WeEn Semiconductors TB100ML
TB100ML
WeEn Semiconductors
10 000:
₡45,82
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND
N.º de artículo del Fabricante
TB100ML
N.º de artículo de Mouser
771-TB100ML
NRND
WeEn Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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10 000
RF Bipolar Transistors
Si
Ammo Pack
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-11F71
MWT-11F71
CML Micro
10:
₡70 591,80
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-11F71
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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Min.: 10
Mult.: 10
Carrete :
10
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
Die
GaAs
32 dBm
9 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-1F70
MWT-1F70
CML Micro
10:
₡52 698,80
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-1F70
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
No en existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Carrete :
10
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
Die
GaAs
12 GHz
26 dBm
10 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-1F71
MWT-1F71
CML Micro
10:
₡55 830,80
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-1F71
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
No en existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Carrete :
10
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
Die
GaAs
12 GHz
26 dBm
10 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-1F73
MWT-1F73
CML Micro
10:
₡49 044,80
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-1F73
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
No en existencias
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Carrete :
10
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
Die
GaAs
12 GHz
26 dBm
10 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-3F70
MWT-3F70
CML Micro
1:
₡43 111,40
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-3F70
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
No en existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
Die
GaAs
500 MHz to 26 GHz
22 dBm
12 dB
Reel, Cut Tape