Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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NXP Semiconductors Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Safety SBC with Power Management and CAN
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NXP Semiconductors Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Safety SBC with Power Management, CAN and LIN
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202En existencias
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK
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6 755En existencias
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: 1 500

Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 450 A dual IGBT module
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11En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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10 205En existencias
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NXP Semiconductors Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Safety SBC with Power Management, CAN and LIN 250En existencias
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Analog Devices / Maxim Integrated Interfaz con sensor Precision Sensor Signal Conditioner with
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66En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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4 136En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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22 178En existencias
35 000En pedido
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
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401En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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20 294En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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18 431En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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6 245En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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7 212En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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5 392En existencias
39 300En pedido
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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NXP Semiconductors Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Safety SBC with Power Management, CAN and LIN
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Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1061 60V 3A PNP BJT
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NXP Semiconductors Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Safety SBC with Power Management and CAN
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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NXP Semiconductors Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) PMIC i.MX8, 7 buck reg,4 LDOs Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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NXP Semiconductors Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Safety SBC with Power Management, CAN and LIN Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Quantic X-Microwave Herramientas de desarrollo RF Limiters, PE45361 Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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No

Quantic X-Microwave Herramientas de desarrollo RF Limiters, PE45361 Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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Quantic X-Microwave Herramientas de desarrollo RF Limiters, PE45361 No en existencias
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NXP Semiconductors Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Safety SBC with Power Management, CAN and LIN
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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: 4 000