Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL059N4S8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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MOSFETs
Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
STPSC10G065DY
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Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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SiC Schottky Diodes
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TO-220AC-2
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
STPSC4G065D
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Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-220AC-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
LEO1N5822AF
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Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
SOD-128-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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MOSFETs
Si
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PowerFLAT-4
Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
STPSC6G065D
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Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-220AC-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
STWA60N035M9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
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STN3NF06L
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
STL165N10F8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
STGYA50M120DF3
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IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
TN4050HP-12WY
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SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
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SCRs
Through Hole
TO-247-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
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511-PD54008L-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55003-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
STP45N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
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511-BU508AF
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
12 621 En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
SM15T39CAY
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511-SM15T39CAY
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
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₡503
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₡287
1 000
₡282
2 500
₡230
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SMC (DO-214AB)
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
STD888T4
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N.º de artículo de Mouser
511-STD888T4
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
71 744 En existencias
1
₡470
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₡319
100
₡218
500
₡167
2 500
₡133
5 000
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1 000
₡151
5 000
₡117
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
₡1 624
20 733 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
20 733 En existencias
21 000 En pedido
1
₡1 624
10
₡1 050
100
₡725
500
₡592
1 000
₡550
3 000
₡550
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STP45N40DM2AG
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4 720 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STP45N40DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
4 720 En existencias
1 000 En pedido
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10
₡2 401
100
₡2 204
500
₡2 146
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
TN3050HP-12L2Y
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568 En existencias
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511-TN3050HP-12L2Y
STMicroelectronics
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
568 En existencias
1
₡2 854
10
₡2 337
100
₡2 042
600
₡1 891
1 200
₡1 705
2 400
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2 400
₡1 659
4 800
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SCRs
SMD/SMT
HUPAK-9
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
₡2 500
2 525 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2 525 En existencias
1
₡2 500
10
₡1 647
100
₡1 166
500
₡1 067
1 000
₡998
2 500
₡992
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
STL320N4LF8
STMicroelectronics
1:
₡1 728
4 583 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
4 583 En existencias
1
₡1 728
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₡1 090
100
₡812
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₡690
1 000
₡603
3 000
₡597
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
STP60N043DM9
STMicroelectronics
1:
₡6 206
931 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
931 En existencias
1
₡6 206
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₡3 492
100
₡3 364
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3