Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V
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3 584En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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53En existencias
50En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V
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18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Hoja de datos
39En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch
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45En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Hoja de datos
40En existencias
50En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY
Hoja de datos
20En existencias
50En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Si SMD/SMT N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 3 V - 40 C + 85 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
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307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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46En existencias
76En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
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36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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37En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
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34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Hoja de datos
16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
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1 369En existencias
778En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 16 mA, 40 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair
Hoja de datos
177En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA, 4.8 mA 350 Ohms, 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array
Hoja de datos
135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA 350 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array
Hoja de datos
93En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-14 P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch
Hoja de datos
55En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Hoja de datos
36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Hoja de datos
49En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad EPAD(R) N-Ch
Hoja de datos
15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Hoja de datos
23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube