Toshiba Semiconductores discretos

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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
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MOSFETs Si SMD/SMT
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
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MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
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MOSFETs Si Through Hole TO-220SIS-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SOD-962 VRMW 15V 1uA TVS Diodes
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
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