Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH
STP4NK80Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A
STQ1NK80ZR-AP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-92-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
STW65N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
STP11NM60FDFP
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NRND
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NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
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MOSFETs
Si
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
STB36NF06LT4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
STL4N10F7
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511-STL4N10F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
823 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
STH410N4F7-6AG
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511-STH410N4F7-6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-6
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
STL140N4LLF5
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511-STL140N4LLF5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
2 158 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU6N65M2
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511-STU6N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
STL10LN80K5
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511-STL10LN80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
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1
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₡881,60
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-VHV-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
+1 imagen
STL64DN4F7AG
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511-STL64DN4F7AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
579 En existencias
1
₡1 252,80
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₡393,24
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₡374,10
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MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB12N60DM2AG
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1:
₡1 960,40
204 En existencias
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511-STB12N60DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
204 En existencias
1
₡1 960,40
10
₡1 276,00
100
₡980,20
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1 000
₡707,60
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
360°
+6 imágenes
STGB40V60F
STMicroelectronics
1:
₡2 151,80
74 En existencias
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511-STGB40V60F
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
74 En existencias
1
₡2 151,80
10
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₡962,80
500
₡846,80
1 000
₡788,80
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Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
+1 imagen
STGP8M120DF3
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1:
₡3 068,20
178 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGP8M120DF3
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IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
178 En existencias
1
₡3 068,20
10
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100
₡1 653,00
500
₡1 467,40
1 000
₡1 299,20
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Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP16N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 647,20
251 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
251 En existencias
1
₡1 647,20
10
₡1 061,40
100
₡759,80
500
₡626,40
1 000
₡549,84
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores Darlington NPN Power Darlington
MJD112T4
STMicroelectronics
1:
₡574,20
4 691 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-MJD112
STMicroelectronics
Transistores Darlington NPN Power Darlington
4 691 En existencias
1
₡574,20
10
₡357,86
100
₡233,74
500
₡179,80
2 500
₡143,84
5 000
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1 000
₡162,98
5 000
₡125,86
10 000
₡115,42
25 000
₡114,26
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Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
SMD/SMT
TO-252
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
MJD350T4
STMicroelectronics
1:
₡649,60
4 715 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-MJD350T4
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
4 715 En existencias
1
₡649,60
10
₡407,16
100
₡267,38
500
₡207,06
2 500
₡156,60
5 000
Ver
1 000
₡187,34
5 000
₡146,16
10 000
₡136,30
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
STB34NM60N
STMicroelectronics
1:
₡6 119,00
970 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB34NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
970 En existencias
1
₡6 119,00
10
₡4 268,80
100
₡3 549,60
500
₡3 543,80
1 000
₡3 317,60
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
STD2NC45-1
STMicroelectronics
1:
₡284,20
5 394 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD2NC45-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
5 394 En existencias
1
₡284,20
10
₡279,56
100
₡277,24
500
₡247,08
1 000
Ver
1 000
₡218,08
3 000
₡154,86
6 000
₡151,96
9 000
₡149,06
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
STD5N52K3
STMicroelectronics
1:
₡1 084,60
1 401 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
1 401 En existencias
1
₡1 084,60
10
₡690,20
100
₡465,74
500
₡368,88
1 000
₡341,04
2 500
₡313,78
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
STF11NM50N
STMicroelectronics
1:
₡1 078,80
808 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
808 En existencias
1
₡1 078,80
10
₡875,80
100
₡841,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF12N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 119,40
2 071 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
2 071 En existencias
1
₡1 119,40
10
₡537,66
100
₡479,08
500
₡381,64
1 000
₡312,04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
STF24N60DM2
STMicroelectronics
1:
₡1 896,60
1 166 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
1 166 En existencias
1
₡1 896,60
10
₡1 032,40
100
₡910,60
500
₡800,40
1 000
₡707,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
STF28N60M2
STMicroelectronics
1:
₡2 122,80
782 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
782 En existencias
1
₡2 122,80
10
₡1 038,20
100
₡951,20
500
₡852,60
1 000
₡817,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
STF38N65M5
STMicroelectronics
1:
₡3 752,60
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
1
₡3 752,60
10
₡1 995,20
100
₡1 827,00
500
₡1 560,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel