Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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MOSFETs
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF4LN80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
STGD8NC60KDT4
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IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
STGIPNS3H60T-H
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511-STGIPNS3H60T-H
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Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
340 En existencias
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IGBT Modules
Si
SMD/SMT
NSDIP-26
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
STGP10H60DF
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IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
STH260N6F6-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP12N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
968 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
STP13N95K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
374 En existencias
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MOSFETs
Si
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TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STP8N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
778 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
STU7N80K5
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511-STU7N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
1 841 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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STW58N65DM2AG
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511-STW58N65DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
454 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STWA30N65DM6AG
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511-STWA30N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA65N60DM6
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N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
585 En existencias
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₡4 182
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA70N65DM6
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser
511-STWA70N65DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
596 En existencias
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₡7 534
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₡6 409
100
₡5 545
600
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
STB14NM50N
STMicroelectronics
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₡2 836
589 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
589 En existencias
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₡2 836
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₡1 885
100
₡1 340
500
₡1 264
1 000
₡1 183
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel