Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
STL40DN3LLH5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 pa
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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Si
Through Hole
TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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Si
Through Hole
TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
STP45N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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STW58N60DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
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STW88N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistores Darlington Eight NPN Array
ULN2803A
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511-ULN2803A
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Transistores Darlington Eight NPN Array
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Darlington Transistors
Through Hole
PDIP-18
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTD HIGH VOLTAGE
STB6N65K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTD HIGH VOLTAGE
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₡523
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
STFU15N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
689 En existencias
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₡1 206
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3
STF2N62K3
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511-STF2N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3
1 841 En existencias
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₡1 346
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₡448
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₡445
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₡400
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
STF25N60M2-EP
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841 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
841 En existencias
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₡1 949
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₡1 061
100
₡963
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₡783
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
STF4N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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₡632
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
STGWF30NC60S
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511-STGWF30NC60S
STMicroelectronics
IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
492 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-3PF
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
360°
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STU3N65M6
STMicroelectronics
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NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STU3N65M6
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
2 440 En existencias
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₡684
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₡453
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₡325
3 000
₡299
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
STF10N62K3
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511-STF10N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
976 En existencias
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₡1 572
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₡1 009
100
₡684
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₡570
1 000
₡494
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
360°
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STGIPQ5C60T-HLS
STMicroelectronics
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511-STGIPQ5C60T-HLS
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Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
258 En existencias
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₡5 110
10
₡3 718
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IGBT Modules
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
STO36N60M6
STMicroelectronics
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482 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STO36N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
482 En existencias
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₡3 497
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₡2 343
100
₡1 688
500
₡1 670
1 000
₡1 566
1 800
₡1 566
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package
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STW35N60DM2
STMicroelectronics
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382 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW35N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package
382 En existencias
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₡3 202
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₡1 815
100
₡1 375
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
MD1802FX
STMicroelectronics
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910 En existencias
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo de Mouser
511-MD1802FX
Pedido especial de fábrica
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
910 En existencias
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10
₡1 056
100
₡719
600
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₡553
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₡534
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Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
NPN