STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
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496En existencias
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MOSFETs
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
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910En existencias
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MOSFETs
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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841En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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963En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
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492En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
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2 440En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTD HIGH VOLTAGE 1 992En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4 PNP
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5 NPN


STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
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172En existencias
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: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
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532En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
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488En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel