MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP247-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
SH63N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
ACEPACK SMIT-9
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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MOSFETs
Si
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Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
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Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
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IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIPHP-30
IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
STGSH80HB65DAG
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IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
ACEPACK-5
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
STH12N120K5-2AG
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511-STH12N120K5-2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
STH60N099DM9-2AG
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511-STH60N099DM9-2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
STL120N10F8
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511-STL120N10F8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
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MOSFETs
Si
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PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
STL160N10F8
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511-STL160N10F8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
STL165N10F8AG
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511-STL165N10F8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET
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STL300N4LF8
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511-STL300N4LF8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
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STL325N4F8AG
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511-STL325N4F8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
STL325N4LF8AG
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511-STL325N4LF8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
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511-STW65N023M9-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N045M9-4
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511-STW65N045M9-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
580 En existencias
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₡5 643
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₡3 033
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STWA65N023M9
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511-STWA65N023M9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
344 En existencias
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₡8 491
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
STWA65N045M9
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511-STWA65N045M9
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
1 195 En existencias
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₡5 527
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MOSFETs
Si
Through Hole
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
STF10N62K3
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511-STF10N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
976 En existencias
1
₡1 572
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₡684
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₡570
1 000
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
360°
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STGIPQ5C60T-HLS
STMicroelectronics
1:
₡5 110
258 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPQ5C60T-HLS
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
258 En existencias
1
₡5 110
10
₡3 718
100
₡2 680
360
₡2 581
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IGBT Modules
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
STO36N60M6
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1:
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N.º de artículo de Mouser
511-STO36N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
482 En existencias
1
₡3 497
10
₡2 343
100
₡1 688
500
₡1 670
1 000
₡1 566
1 800
₡1 566
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package
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STW35N60DM2
STMicroelectronics
1:
₡3 202
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N.º de artículo de Mouser
511-STW35N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package
382 En existencias
1
₡3 202
10
₡1 815
100
₡1 375
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
STF25N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
₡1 949
841 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF25N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
841 En existencias
1
₡1 949
10
₡1 061
100
₡963
500
₡783
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Min.: 1
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
STF4N62K3
STMicroelectronics
1:
₡1 711
963 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF4N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
963 En existencias
1
₡1 711
10
₡632
100
₡609
500
₡592
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
STGWF30NC60S
STMicroelectronics
1:
₡2 929
492 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGWF30NC60S
STMicroelectronics
IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
492 En existencias
1
₡2 929
10
₡1 943
100
₡1 212
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-3PF