STMicroelectronics Transistores

Resultados: 1 938
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh 1 989En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH 1 813En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET 1 512En existencias
1 952En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode 5 277En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp 7 090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT 2 220En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode 5 701En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed 531En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss 377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H 3 751En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 6 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH 3 070En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH 2 157En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp 1 283En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH 1 571En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A 3 986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A 4 939En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II 687En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 421En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp 529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 1 618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET 1 452En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 4 534En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH 1 426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp 2 437En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel