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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 109

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Fabricante = Advanced Linear Devices

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210804SCL
Advanced Linear Devices
50: ₡3 636,60
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210804SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210804SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡3 636,60

₡3 027,60

₡2 697,00

₡2 523,00

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808APCL
Advanced Linear Devices
50: ₡5 278,00
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡5 278,00

₡4 396,40

₡3 915,00

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Min.: 50
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Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808ASCL
Advanced Linear Devices
50: ₡4 761,80
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡4 761,80

₡3 967,20

₡3 538,00

₡3 306,00

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

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0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808SCL
Advanced Linear Devices
50: ₡3 665,60
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡3 665,60

₡2 963,80

₡2 633,20

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Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

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500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210814PCL
Advanced Linear Devices
50: ₡4 025,20
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210814PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210814PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡4 025,20

₡3 352,40

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Min.: 50
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Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

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500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210814SCL
Advanced Linear Devices
50: ₡3 636,60
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210814SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210814SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡3 636,60

₡3 027,60

₡2 697,00

₡2 523,00

Min.: 50
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SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

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+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212902SAL
Advanced Linear Devices
50: ₡3 543,80
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212902SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212902SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡3 543,80

₡2 865,20

₡2 546,20

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Min.: 50
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

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14 Ohms

- 12 V, 12 V

180 mV

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+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904PAL
Advanced Linear Devices
50: ₡3 781,60
No en existencias

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ALD212904PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡3 781,60

₡3 155,20

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N-Channel

2 Channel

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EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904SAL
Advanced Linear Devices
50: ₡3 543,80
No en existencias

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ALD212904SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡3 543,80

₡2 865,20

₡2 546,20

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Min.: 50
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

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- 12 V, 12 V

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EPAD

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ALD212908APAL
Advanced Linear Devices
50: ₡5 730,40
No en existencias

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ALD212908APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡5 730,40

₡4 779,20

₡4 257,20

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2 Channel

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EPAD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908ASAL
Advanced Linear Devices
50: ₡4 924,20
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908ASAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908ASAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

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₡4 100,60

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SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

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- 12 V, 12 V

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500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908PAL
Advanced Linear Devices
50: ₡3 781,60
No en existencias

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ALD212908PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡3 781,60

₡3 155,20

₡2 807,20

₡2 627,40

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

780 mV

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+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212914PAL
Advanced Linear Devices
50: ₡4 918,40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212914PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212914PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

₡4 918,40

₡4 100,60

₡3 654,00

₡3 416,20

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

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+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700APCL
Advanced Linear Devices
50: ₡5 892,80
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Hoja de datos

No en existencias

₡5 892,80

₡4 906,80

₡4 373,20

₡4 089,00

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700ASCL
Advanced Linear Devices
50: ₡5 788,40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡5 788,40

₡4 825,60

₡4 297,80

₡4 019,40

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

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+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700PCL
Advanced Linear Devices
50: ₡4 982,20
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡4 982,20

₡4 152,80

₡3 700,40

₡3 456,80

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

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+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702APCL
Advanced Linear Devices
50: ₡7 116,60
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡7 116,60

₡5 927,60

₡5 283,80

₡4 941,60

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702PCL
Advanced Linear Devices
50: ₡4 982,20
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡4 982,20

₡4 152,80

₡3 700,40

₡3 456,80

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702SCL
Advanced Linear Devices
50: ₡4 425,40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡4 425,40

₡3 688,80

₡3 282,80

₡3 074,00

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704APCL
Advanced Linear Devices
50: ₡7 116,60
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡7 116,60

₡5 927,60

₡5 283,80

₡4 941,60

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704ASCL
Advanced Linear Devices
50: ₡5 788,40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡5 788,40

₡4 825,60

₡4 297,80

₡4 019,40

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704PCL
Advanced Linear Devices
50: ₡6 014,60
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡6 014,60

₡5 011,20

₡4 466,00

₡4 176,00

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310704SCL
Advanced Linear Devices
50: ₡4 425,40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310704SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310704SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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No en existencias

₡4 425,40

₡3 688,80

₡3 282,80

₡3 074,00

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310708APCL
Advanced Linear Devices
50: ₡7 116,60
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310708APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310708APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡7 116,60

₡5 927,60

₡5 283,80

₡4 941,60

Min.: 50
Mult.: 50

DIP-16

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310708ASCL
Advanced Linear Devices
50: ₡5 788,40
No en existencias

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ALD310708ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310708ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

No en existencias

₡5 788,40

₡4 825,60

₡4 297,80

₡4 019,40

Min.: 50
Mult.: 50

SOIC-16

Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
400 mV
420 mV
780 mV
820 mV
1.4 V
1.62 V
1.72 V
1.82 V
1.92 V
2.02 V
2.12 V
2.22 V
2.28 V
2.32 V
2.42 V
2.52 V