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Advanced Linear Devices ALD31070 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 16

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Fabricante = Advanced Linear Devices Serie = ALD31070

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702ASCL
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ALD310702ASCL

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585-ALD310702ASCL

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50En pedido

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500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700SCL
Advanced Linear Devices
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43En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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DIP-16

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