Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
+1 imagen
STW40N95DK5
STMicroelectronics
1:
₡8 862,40
692 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW40N95DK5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
692 En existencias
1
₡8 862,40
10
₡5 428,80
100
₡5 301,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
+1 imagen
STW48NM60N
STMicroelectronics
1:
₡5 365,00
1 042 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW48NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
1 042 En existencias
1
₡5 365,00
10
₡3 149,40
100
₡2 726,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
+1 imagen
STW57N65M5
STMicroelectronics
1:
₡6 148,00
496 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
496 En existencias
1
₡6 148,00
10
₡3 891,80
100
₡3 149,40
600
₡3 143,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
+1 imagen
STW7N95K3
STMicroelectronics
1:
₡4 019,40
574 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW7N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
574 En existencias
1
₡4 019,40
10
₡2 250,40
100
₡1 879,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
+1 imagen
STWA20N95K5
STMicroelectronics
1:
₡4 344,20
623 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STWA20N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
623 En existencias
1
₡4 344,20
10
₡2 656,40
100
₡2 128,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
STWA75N60M6
STMicroelectronics
1:
₡6 026,20
492 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
492 En existencias
1
₡6 026,20
10
₡3 630,80
100
₡3 271,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
STY105NM50N
STMicroelectronics
1:
₡14 558,00
186 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STY105NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
186 En existencias
1
₡14 558,00
10
₡10 005,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
STB36NF06LT4
STMicroelectronics
1:
₡1 229,60
1 248 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB36NF06LT4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
1 248 En existencias
1
₡1 229,60
10
₡788,80
100
₡531,86
500
₡423,98
1 000
₡377,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
STP80NF55-06
STMicroelectronics
1:
₡1 612,40
1 478 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF55-06
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
1 478 En existencias
1
₡1 612,40
10
₡800,40
100
₡730,80
500
₡609,00
1 000
₡546,94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
STP11NM60FDFP
STMicroelectronics
1:
₡2 302,60
537 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60FDFP
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
537 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
STL4N10F7
STMicroelectronics
1:
₡568,40
823 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
823 En existencias
1
₡568,40
10
₡354,38
100
₡230,84
500
₡178,06
1 000
₡157,18
3 000
₡135,14
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
₡1 960,40
204 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
204 En existencias
1
₡1 960,40
10
₡1 276,00
100
₡980,20
500
₡817,80
1 000
₡707,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
360°
+6 imágenes
STGB40V60F
STMicroelectronics
1:
₡2 151,80
74 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGB40V60F
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
74 En existencias
1
₡2 151,80
10
₡1 403,60
100
₡962,80
500
₡846,80
1 000
₡788,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
STL10LN80K5
STMicroelectronics
1:
₡2 325,80
923 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL10LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
923 En existencias
1
₡2 325,80
10
₡1 525,40
100
₡1 125,20
500
₡997,60
1 000
₡881,60
3 000
₡881,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-VHV-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU6N65M2
STMicroelectronics
1:
₡933,80
45 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
45 En existencias
1
₡933,80
10
₡484,30
100
₡360,76
500
₡300,44
1 000
Ver
1 000
₡253,46
3 000
₡249,98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1:
₡11 646,40
5 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG
Nuevo producto
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
5 En existencias
1
₡11 646,40
10
₡9 581,60
100
₡8 288,20
600
₡7 325,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
600
Detalles
SiC MOSFETS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
1:
₡1 160,00
2 805 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
2 805 En existencias
1
₡1 160,00
10
₡649,60
100
₡530,70
500
₡491,84
1 000
₡447,76
3 000
₡277,82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
+1 imagen
STGP8M120DF3
STMicroelectronics
1:
₡3 068,20
178 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGP8M120DF3
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
178 En existencias
1
₡3 068,20
10
₡2 041,60
100
₡1 653,00
500
₡1 467,40
1 000
₡1 299,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP16N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 647,20
251 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
251 En existencias
1
₡1 647,20
10
₡1 061,40
100
₡759,80
500
₡626,40
1 000
₡549,84
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
+1 imagen
STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
1:
₡1 252,80
579 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
579 En existencias
1
₡1 252,80
10
₡806,20
100
₡555,06
500
₡470,38
1 000
₡393,24
3 000
₡374,10
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
STB14NM50N
STMicroelectronics
1:
₡2 836,20
589 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
589 En existencias
1
₡2 836,20
10
₡1 885,00
100
₡1 339,80
500
₡1 264,40
1 000
₡1 183,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
STB4NK60ZT4
STMicroelectronics
1:
₡1 513,80
1 535 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB4NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
1 535 En existencias
1
₡1 513,80
10
₡696,00
100
₡546,36
500
₡504,60
1 000
₡504,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF12N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 357,20
1 053 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1 053 En existencias
1
₡1 357,20
10
₡713,40
100
₡591,60
500
₡491,84
1 000
Ver
1 000
₡436,16
5 000
₡426,30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
STF13N95K3
STMicroelectronics
1:
₡4 216,60
966 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
966 En existencias
1
₡4 216,60
10
₡2 151,80
100
₡2 047,40
500
₡2 001,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU18N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 821,20
978 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU18N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
978 En existencias
1
₡1 821,20
10
₡910,60
100
₡823,60
500
₡667,00
1 000
₡649,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel