STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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208En existencias
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Máx.: 50
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Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics STL059N4S8AG
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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140En existencias
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Máx.: 20
Carrete: 3 000

AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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208En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 107 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
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288En existencias
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Máx.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 35 mOhms 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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314En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
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1 784En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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20 733En existencias
21 000En pedido
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 130 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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4 720En existencias
1 000En pedido
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 38 A 72 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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931En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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2 525En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
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4 583En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 360 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
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18 017En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
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27 481En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
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18 972En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 22 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp
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3 796En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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1 431En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 75 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 50 C + 150 C 190 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
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2 117En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 104 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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1 958En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A
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1 208En existencias
1 000En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 160 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp
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4 540En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 65 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
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3 772En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 5 A 45 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
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1 070En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 114.6 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp
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3 172En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 110 nC - 65 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
Hoja de datos
1 740En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Hoja de datos
2 500En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 440 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel