IGBTs N-channel MOSFET
STGB10NC60KDT4
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511-STGB10NC60KDT4
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IGBTs N-channel MOSFET
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IGBT Transistors
Si
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D2PAK-3
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STGP14NC60KD
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IGBTs PowerMESH" IGBT
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
STGWA40H65DFB2
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IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL16N65M2
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511-STL16N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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MOSFETs
Si
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PowerFLAT-5x6-HV-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
STL52N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
STP10N60M2
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511-STP10N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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STP24N60M6
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511-STP24N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
STS10P4LLF6
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511-STS10P4LLF6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
2 750 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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STW28N65M2
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511-STW28N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
709 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA75N65DM6
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511-STWA75N65DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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MOSFETs
Si
Through Hole
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
MJD350T4
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511-MJD350T4
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
4 715 En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
STB34NM60N
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511-STB34NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
970 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
STD2NC45-1
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511-STD2NC45-1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
5 369 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
STD5N52K3
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511-STD5N52K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
1 401 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
STF11NM50N
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511-STF11NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
808 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF12N60M2
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2 071 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
2 071 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
STF24N60DM2
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1 166 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
1 166 En existencias
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₡800
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
STF28N60M2
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782 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
782 En existencias
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₡2 123
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
STF9N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 148
1 816 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF9N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
1 816 En existencias
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₡1 148
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₡337
2 000
₡331
5 000
₡322
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
STGF19NC60KD
STMicroelectronics
1:
₡1 369
1 600 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGF19NC60KD
STMicroelectronics
IGBTs 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
1 600 En existencias
1
₡1 369
10
₡667
100
₡603
500
₡549
1 000
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1 000
₡487
2 000
₡437
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220FP-3
Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
STGIB8CH60TS-L
STMicroelectronics
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105 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIB8CH60TS-L
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
105 En existencias
1
₡7 847
10
₡5 493
100
₡4 530
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Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIP2B-26
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
STGIPN3H60AT
STMicroelectronics
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357 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPN3H60AT
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
357 En existencias
1
₡4 599
10
₡3 028
100
₡2 401
476
₡2 320
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Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
NDIP-26
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
STGWA15M120DF3
STMicroelectronics
1:
₡2 987
467 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA15M120DF3
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
467 En existencias
1
₡2 987
10
₡1 984
100
₡1 578
600
₡1 241
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL33N60M2
STMicroelectronics
1:
₡2 883
1 617 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
1 617 En existencias
1
₡2 883
10
₡2 755
100
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₡1 920
1 000
₡1 641
3 000
₡1 131
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
STP19NM50N
STMicroelectronics
1:
₡2 134
644 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP19NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
644 En existencias
1
₡2 134
10
₡1 351
100
₡1 276
500
₡1 212
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel