Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch
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BJTs - Bipolar Transistors
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LO VLT NPN PWR TRANS
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LO VLT NPN PWR TRANS
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
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TO-252-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
PD54003-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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RF MOSFET Transistors
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
STB18N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
STD1HN60K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
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MOSFETs
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF10LN80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
STF15N95K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa
STF35N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
STF6N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
STF6N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
983 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU10N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
976 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
STGP30M65DF2
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N.º de artículo de Mouser
511-STGP30M65DF2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
977 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
360°
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STGWA15H120DF2
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511-STGWA15H120DF2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
501 En existencias
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₡2 674
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100
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600
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET i
STL30P3LLH6
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511-STL30P3LLH6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET i
3 349 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
STL38N65M5
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511-STL38N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
2 750 En existencias
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3 000
₡1 798
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-HV-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
STL3N10F7
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N.º de artículo de Mouser
511-STL3N10F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
7 437 En existencias
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6 000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-2x2-6
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL45N60DM6
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N.º de artículo de Mouser
511-STL45N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
2 682 En existencias
1
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3 000
₡2 001
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
STP105N3LL
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2 461 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP105N3LL
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
2 461 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
STP6NK60Z
STMicroelectronics
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₡1 148
1 244 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP6NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
1 244 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
STQ2LN60K3-AP
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N.º de artículo de Mouser
511-STQ2LN60K3AP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
3 913 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-92-3
N-Channel