Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
STGIPN3H60AT
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511-STGIPN3H60AT
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Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
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IGBT Modules
Si
Through Hole
NDIP-26
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
STGWA15M120DF3
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL33N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
STP19NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
STP31N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
STU4N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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MOSFETs
Si
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TO-251-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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STW18N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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MOSFETs
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Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL
2ST501T
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Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL
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Darlington Transistors
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
BUL1102E
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
ST13007D
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistores Darlington NPN Power Darlington
ST901T
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Transistores Darlington NPN Power Darlington
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Darlington Transistors
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
STB10N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
STD3NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
2 222 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
STD6N60M2
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511-STD6N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
2 265 En existencias
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500
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
360°
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STD95P3LLH6AG
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511-STD95P3LLH6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
1 097 En existencias
1
₡1 409
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500
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1 000
₡474
2 500
₡456
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF26N60M2
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511-STF26N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
981 En existencias
1
₡1 978
10
₡998
100
₡899
500
₡731
1 000
₡725
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
STFH24N60M2
STMicroelectronics
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₡1 264
918 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFH24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
918 En existencias
1
₡1 264
10
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100
₡737
500
₡673
920
₡615
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
STGIF10CH60TS-L
STMicroelectronics
1:
₡7 633
97 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIF10CH60TS-L
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
97 En existencias
1
₡7 633
10
₡5 150
100
₡4 367
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IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIP2F-26
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
360°
+6 imágenes
STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics
1:
₡4 791
246 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
246 En existencias
1
₡4 791
10
₡3 486
100
₡2 906
600
₡2 419
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
STGWA50HP65FB2
STMicroelectronics
1:
₡2 100
662 En existencias
600 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA50HP65FB2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
662 En existencias
600 En pedido
1
₡2 100
10
₡1 148
100
₡789
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
STGWA80H65FB
STMicroelectronics
1:
₡3 550
521 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA80H65FB
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
521 En existencias
1
₡3 550
10
₡2 477
100
₡2 007
600
₡1 578
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
STI20N65M5
STMicroelectronics
1:
₡2 233
958 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STI20N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
958 En existencias
1
₡2 233
10
₡1 090
100
₡887
500
₡829
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
STL13N60M6
STMicroelectronics
1:
₡1 514
2 794 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
2 794 En existencias
1
₡1 514
10
₡969
100
₡661
500
₡537
1 000
₡484
3 000
₡476
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3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
STL36N55M5
STMicroelectronics
1:
₡3 584
2 982 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL36N55M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
2 982 En existencias
1
₡3 584
10
₡2 488
100
₡1 804
1 000
₡1 769
3 000
₡1 688
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
STL40N10F7
STMicroelectronics
1:
₡1 224
2 086 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL40N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
2 086 En existencias
1
₡1 224
10
₡777
100
₡536
500
₡427
1 000
₡383
3 000
₡364
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel