STMicroelectronics Transistores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT 357En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss 467En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 1 617En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power 644En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V 739En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 2 904En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET 687En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL 1 936En existencias
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Darlington Transistors Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor 1 523En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor 1 315En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington NPN Power Darlington 3 279En existencias
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Darlington Transistors Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A 1 075En existencias
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: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II 2 222En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 2 265En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i 1 097En existencias
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 981En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr 918En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct 97En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole SDIP2F-26


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT 246En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 662En existencias
600En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed 521En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5 958En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 2 794En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5 2 982En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII 2 086En existencias
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: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel