Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL45P3LLH6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
STP24N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
STU6NF10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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STW8N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
SOT-32-3
NPN
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
PD55015TR-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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RF MOSFET Transistors
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
STB23NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD10N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
STD5N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
STF27N60M2-EP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
STF6N65K3
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Through Hole
TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STF7N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
STF7NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
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MOSFETs
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
STF9NM60N
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511-STF9NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
1 612 En existencias
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MOSFETs
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Through Hole
TO-220-3
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STGB30H60DLLFBAG
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
360°
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STGIB15CH60S-L
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511-STGIB15CH60S-L
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Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
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IGBT Modules
Si
IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
STGP20H60DF
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511-STGP20H60DF
STMicroelectronics
IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1 066 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
STGWT40HP65FB
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511-STGWT40HP65FB
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
833 En existencias
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₡1 931
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL10N60M6
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
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STN83003
STMicroelectronics
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6 422 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STN83003
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
6 422 En existencias
4 000 En pedido
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
NPN